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昨天由谷歌TPU第一代设计者 Ross所创立的Grog公司正式宣布:新一代LPU，在多个公开测试中，以几乎最低的价格，相比GPU推理速度翻倍。并且后续有三方测试结果表明，该芯片对大语言模型推理进行优化效果显著，速度相较于英伟达GPU提高了10倍。而LPU与GPU核心区别就是LPU内存采用了SRAM，而不是HBM。
其实Sram这个东西不是新的，速度快但是容量很小axi总线，应用范围比较小，反正研究员基本上反应是乱炒，但是不影响市场的炒作，这就是a股。毕竟人家adobe大跌，我们万兴这种也能大涨。。。板块午后拉了北京君正，搞笑的是本来今天华为发布存储芯片新品，板块没有大爆发吹起来，结果君正炒了一个别的把板块又反推上去了。这是扩散的分支，也不会是最后一个，后面应该还会有，有的话第一时间参与，赚钱就可以别谈基本面就行了
SRAM，静态随机存储器，其基础结构一般是6个晶体管组成。HBMaxi总线，高带宽存储器，由多个DDR堆叠起来的组合阵列，DDR则是SDRAM同步动态随机存储器，其基础结构一般是一个晶体管+一个电容。所以如果从结构来看，存储相同数据的情况下，HBM和SRAM大概相差6倍的晶体管，算上工艺排列啥的，基本就差10倍的面积。但是，HBM是DDR对吧，当计算单元访问ddr的时候，一般都是会有延迟的（通过axi总线传递数据，涉及到多仲裁总线等知识）。一般情况下，高带宽可能也需要10个cycle（看总线时钟确定最终的s）。
使用sram就很简单了，计算单元访问数据，随存随取（因为sram可以摆在计算单元附近，不需要通过总线仲裁等逻辑），基本一两个cycle，这就是用sram速度快的原因。有一点大家比较关心的是，sram不能太大，这个是真的，太大了会有问题。但是我可以把他拆成一小块一小块的呀！（这里只是涉及到访问mem地址逻辑的逻辑优化，很简单的）
所以，从我们芯片设计的角度来看，使用sram面积确实会大，同样算力的情况下，使用sram大概比使用hbm的，大2～4倍左右？（芯片不止使用ram，还有很多计算逻辑，这个占比非常大，我是根据我们做过的一个ip的面积报告来算的）。
总结，使用sram来做TPU原理上完全可以（人家已经做出来了），在牺牲4倍左右的成本情况下，可以达到普通GPU的10倍速度。这是一种取舍！
相关概念股
1、北京君正（）：北京矽成为控股公司，其经营实体主要为ISSI，ISSI主营业务为集成电路存储芯片、模拟芯片及其衍生产品的研发和销售，产品主要应用于汽车电子、工业制造和通讯设备等行业领域，是全球DRAM、SRAM行业龙头之一。
2、光力科技（）：公司产品能用于汽车半导体封装。半导体在汽车的应用领域主要涵盖计算及控制芯片（以微控制器和逻辑IC为主）、存储芯片（DRAM、SRAM、FLASH等）、传感芯片（CIS、MEMS、电流传感器、磁传感器等）、通信芯片（基带芯片、射频芯片等）、功率芯片（IGBT、等）。
3、欧比特（）：
“珠海一号”卫星搭载的芯片主要包含CPU、FLASH、SRAM存储器三类，其中部分为公司自研。
4、纳思达（）：在工业控制领域，极海微综合市场需求，正式推出采用55nm工艺制程，拥有大容量Flash、SRAM以及丰富片内外设的高性能、高适配型MCU系列新品，该系列新品可广泛应用于仪器仪表、工控设备、智能家电、基站电源、网关设备、3D打印机等领域。
5、西测测试（）：公司采用算法图形和APG技术实现存储器地址自动累加、翻页功能，实现存储器数据的自动写入、输出比较，实现了对、SRAM、NOR flash、NAND flash、EMMC等存储芯片读写擦除功能的自动测试，提升了存储芯片的测试效率。请问董秘是否属实？尊敬的投资者您好！上述情况属实。
6、恒烁股份：恒烁股份2月20日在互动平台表示，公司的基于NOR Flash的存算一体芯片恒芯2号已回片，正处于测试阶段；公司自2023年下半年同步也在进行基于SRAM的数字存算一体方案的研发，进展符合预期。
7、C华微：
问：贵司关于SRAM是否有布局，进度如何
答：尊敬的投资者，您好！公司承担的“十三五”国家科技重大专项基于28nm工艺平台，突破超大规模高性能FPGA低功耗设计方法等关键技术，建立高性能、高性价比千万门级SRAM型FPGA器件自主研发与工程化应用能力。公司会时刻保持对SRAM的关注，灵活应对市场变化。感谢您的关注！
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